你的位置:首頁 > 新聞動態 > 行業新聞

可取代DDR?瞄準數據中心,三星和SK海力士競逐高性能HBM市場

2020/3/6 17:00:16      點擊:

可取代DDR?瞄準數據中心,三星和SK海力士競逐高性能HBM市場

編輯:Mavis   發布:2020-03-06 12:12

據韓媒報道,SK海力士距離下一代存儲器HBM2E量產又近了一步。美國半導體公司Synopsys最近宣布,它將基于其封裝技術向SK海力士提供一種SoC接口解決方案,用于制造HBM2E。

該SoC基于臺積電7nm工藝制造,符合JEDEC的HBM2E SDRAM標準。SK海力士自去年8月份宣布成功研發HBM2E芯片,與以前的HBM2相比,新的HBM2E帶寬提高了約50%,容量提高了100%。HBM2E基于每個Pin針3.6Gbps的速度以及1,024 IOPS,所支持的帶寬達每秒460GB。通過TSV(直通硅)技術,最多可以垂直堆疊8個16Gb的芯片,形成密度為16GB的單封裝芯片。


圖片來源:SK海力士網站

HBM突破內存容量、帶寬瓶頸,TSV技術功不可沒

HBM(High bandwidth memory)是一款新型的CPU/GPU內存芯片(即“RAM”),就像摩天大廈中的樓層一樣可以垂直堆疊。基于這種設計,信息交換的時間將會縮短。這些堆疊的芯片通過稱為“中介層 (Interposer)”的超快速互聯方式連接至 CPU 或 GPU。將HBM的堆棧插入到中介層中,放置于 CPU 或 GPU 旁邊,然后將組裝后的模塊連接至電路板。

當前,HBM內存芯片僅有三星和SK海力士兩家公司生產,均采用TSV技術進行容量擴展和帶寬擴展。這是一種在整個硅晶圓厚度上打孔的技術,目的是在芯片的正面到背面形成數千個垂直互連,反之亦然。在早期,TSV僅被視為一種封裝技術,只是替代了引線鍵合,克服了片外封裝額局限性。但是,多年來,它已成為擴展DRAM性能和密度必不可少的工具。


圖片來源:網絡

三星、SK海力士競相角逐,搶占HBM市場

HBM DRAM作為未來可能取代DDR的技術之一,其性能、帶寬和容量均有較強的優勢,然而,由于其單價是目前DRAM封裝的2-3倍,且其尺寸大于LPDDR4芯片。因此,目前它的市場并不大,僅應用于要求超高性能的大型數據中心。

近期,臺積電宣布與博通公司合作強化CoWoS平臺,新世代CoWoS技術能夠容納多個邏輯系統單芯片(SoC),以及多達6個高頻寬存儲器(HBM)立方體,提供高達96GB的存儲容量。CoWoS解決方案具備支援更高存儲器容量與頻寬的優勢,非常適用于存儲器密集型之處理工作,例如深度學習、5G網絡、具有節能效益的數據中心、以及其他更多應用。

此外,隨著5G移動通信、人工智能、自動駕駛和物聯網的不斷發展,以及支持平臺的不斷完善,對高性能服務器的需求將不斷增長,HBM技術的市場前景還是十分可觀的。

在高帶寬存儲器市場,主要有三星和SK海力士兩個玩家,GlobalFoundries與SiFive也在2019年底宣布共同開發基于12LP / 12LP+ FinFET 工藝的HBM2E存儲器,目前還無產品推出。

目前,三星在進度上略勝一籌,已經在今年二月份宣布容量為16GB的高帶寬存儲器HBM2E進入市場,然而SK海力士也是緊隨其后,相信在Synopsys的協助下,也將不久打入市場。


圖片來源:中國閃存市場整理

近年來,數據中心市場發展迅猛,預計在5G的推動下,數據中心對存儲配置的需求將快速增長,HBM作為次世代高性能內存,隨著技術逐漸成熟,成本逐漸降低,有著廣闊的市場前景。

澳洲幸运5规则图片 山东11运夺金手机助手 广东省快乐十分开奖走势图 湖南快乐十分开奖图表下载 大乐透玩法说明及中奖 分分彩怎么玩稳赚不赔 排列五技巧和规律公式 股票配资平台搭建 股票代码查询一览表股票行情中国所有股票代码 佳人期货配资公司 世界三大赌城谁排第一 真钱1比1棋牌游戏 北京快乐8在哪可买 江西时时彩交易时间 深圳股票配资哪家收费最低 中卫期货配资 全球10大赌场